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특장점
ELS-F100 Ultra High Precision Electron Beam Lithography System
반도체 장치
측정,분석장치
・최고 125kV 가속전압, 장시간 안정화된 최소직경 Φ1.8nm의 전자선.
・최소선폭 6nm의 초미세 패턴을 실현
・20bit DAC / 0.1nm Beam positioning Resolution
・Easy User Interface
실험실 설비/재료
SEM User Interface
CAD User Interface
주요사양
Application gallery
 3층 레지스트 T-gate process |  Hole array Pitch 600nm 패턴 깊이 2um |
|---|---|
 선폭 5nm L&S 패턴 |  Φ85nm nano dot pattern (Positive) Pitch 200nm |
 3차원 홀로그램 패턴 |
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