특장점

ELS-F100 Ultra High Precision Electron Beam Lithography System

반도체 장치

​측정,분석장치

・최고 125kV 가속전압, 장시간 안정화된 최소직경 Φ1.8nm의 전자선.

・최소선폭 6nm의 초미세 패턴을 실현
・20bit DAC / 0.1nm Beam positioning Resolution

・Easy User Interface

실험실 설비/재료 

SEM User Interface
CAD User Interface

주요사양

Application gallery
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3층 레지스트 T-gate process

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Hole array Pitch 600nm 패턴 깊이 2um

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선폭 5nm L&S 패턴

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Φ85nm nano dot pattern (Positive) Pitch 200nm

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3차원 홀로그램 패턴

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