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ELS-F125 Ultra High Precision Electron Beam Lithography System
특장점
・최고 125kV 가속전압, 장시간 안정화된 최소직경 Φ1.7nm의 전자선
・최소선폭 4nm의 초미세 패턴을 실현
・최소선폭 5nm 보증
・초고가속전압 125kV으로 극소선폭과 High aspect를 손쉽게 구현
・후방산란전자의 영향과 근접효과의 양향을 극소화하여 노광조건을 잡기쉬움
측정,분석장치
반도체 장치
실험실 설비/재료
SEM User Interface
CAD User Interface
주요사양
Application gallery
 5nm Lines in fine pitch |  15 nm Rings |
|---|---|
 4nm line in 35nm pitch |  SAW device pattern |
 극세선묘화 선폭4nm Pitch50nm |  비휘발 메모리 나노갭 전극 패턴 |
 50nm□ Pitch 100nm 정방배열 패턴 |  Φ10nm Pitch 35nm 정방배열 패턴 |
 RP두께1500nm 선폭15nm |
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